氮化镓是一种宽禁带半导体材料，具有高电子迁移率、高击穿电场等特性，能在更高电压、频率和温度下工作，在功率器件、射频器件等领域优势显著；硅则凭借成熟的制造工艺、低成本等特点，长期占据半导体材料的主导地位。二者结合，取长补短，构建起 3D 半导体结构。
通过先进的制造工艺，将氮化镓器件垂直堆叠在硅衬底上，不仅能大幅提升芯片的集成度，还能降低功耗、提高性能。但这一技术也面临挑战，如氮化镓与硅晶格失配导致的缺陷问题，以及复杂工艺带来的成本上升。
氮化镓硅基联姻：3D 半导体新工艺破局摩尔定律的新征程
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