在半导体制造领域，光刻胶作为核心材料之一，其性能优劣直接关乎芯片制造的精度与质量。随着集成电路工艺朝着 7nm 及以下更先进节点持续推进，13.5nm 波长的极紫外（EUV）光刻技术已成为实现先进芯片制造的关键所在。但该技术面临诸多难题，如 EUV 光源反射损耗大、亮度低，这对光刻胶的吸收效率、反应机制以及缺陷控制等方面提出了极为严苛的挑战。
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清华大学重磅宣布：EUV 光刻胶材料研究获重大突破
2025-07-24最新文章
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