2025 年 7 月 31 日，三星电子正式确认其旗舰移动处理器 Exynos 2600 将全球首发 2nm GAA（环绕栅极晶体管）工艺，成为业界首款量产的 2nm 制程芯片。这款代号 “Project Everest” 的芯片，通过第三代 GAA 技术与背面供电网络（BSPDN）的创新融合，在性能、能效与集成度上实现革命性突破，重新定义了半导体工艺的竞争维度。

Exynos 2600 采用的三星 SF2 2nm 工艺，首次将 GAA 晶体管结构从实验室带入量产阶段。相较于传统 FinFET 技术，GAA 通过纳米片堆叠形成全环绕电流控制，漏电率降低 70%，驱动电流提升 35%。配合 BSPDN 技术，芯片将电源轨移至晶圆背面，布线密度提升 2 倍，核心面积减少 15%。这一组合使 Exynos 2600 在 120mm² 的面积内集成超 180 亿晶体管，较台积电 3nm 工艺提升 25%。