近日,中国移动研究院宣布成功自主研发首款全链条自主可控的新型硅基外腔混合集成光源芯片,标志着我国在光通信领域核心技术攻关取得里程碑式突破。该芯片采用创新结构设计,本征线宽仅34.2Hz,相位噪声较现有产品降低三个量级,为T比特级(万亿比特/秒)超高速光传输系统奠定技术基础。

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