时隔多年，三星电子宣布重启其革命性存储技术Z-NAND的研发，目标性能超越传统NAND闪存15倍，同时功耗降低80%。这一重磅消息不仅标志着存储技术的重大突破，更预示着AI时代下数据存储格局的深刻变革。作为曾与英特尔Optane角逐高端市场的“技术遗珠”，Z-NAND的复活承载了三星对下一代存储解决方案的野心，或将重新定义固态硬盘（SSD）的性能极限。
Z-NAND诞生于2010年代中期，作为三星对抗英特尔3DXPoint Optane的杀手锏，其本质是加速版的NAND闪存。基于改进的V-NAND架构，第一代Z-NAND采用48层堆叠设计，以单层单元（SLC）模式运行，并通过将页面大小缩减至2-4KB（传统SSD通常为8-16KB），实现了读写速度的显著提升。彼时，其性能已较传统SSD快6-10倍，但因市场接受度与成本问题一度沉寂。如今，随着AI对存储性能提出更高要求，三星以15倍性能目标重启Z-NAND，显然瞄准了高性能计算与数据中心等核心场景。
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