据多方报道，长鑫存储已在HBM2技术上取得实质性进展，目前正向客户送样，预计2026年中实现小规模量产。同时，双方团队同步推进HBM3及HBM3E研发，力争在2026-2027年完成技术突破。这一进度虽与国际巨头（如SK海力士、三星）存在差距，但追赶速度显著加快，体现了国产技术攻坚的决心与效率。
此次合作并非孤军奋战。长江存储联合武汉新芯开发封装技术，通富微电在封装测试环节提供支持，北方华创、拓荆科技等设备厂商亦在刻蚀机、薄膜沉积设备等领域贡献力量。从材料（如华海诚科的GMC封装材料）到模组（如江波龙的企业级SSD方案），国产HBM产业链正逐步完善，形成“协同作战”的生态闭环。这种全链条自主化的布局，有效应对了国际技术封锁，为国产AI硬件的发展争取了宝贵空间。
