在半导体技术竞逐的赛道上，SK海力士再次以突破性举措引领行业变革。近日，该公司宣布率先将ASML全球首款量产型高数值孔径极紫外光刻机（High NA EUV）TWINSCAN EXE:5200B引入韩国利川M16工厂，标志着存储芯片制造正式迈入“高NA时代”。高数值孔径极紫外光刻技术通过提高光刻分辨率，能够在芯片上刻画更细小的电路图案，从而提升芯片性能与能效。这一里程碑式进展不仅巩固了SK海力士的技术领导地位，更将推动下一代DRAM技术革命，重塑内存芯片的性能与能效边界。
传统EUV光刻机的数值孔径（NA）为0.33，而SK海力士采用的High NA EUV设备将NA提升至0.55，使得分辨率达到8nm，晶体管尺寸缩小了近一半，芯片密度提高了近三倍，性能提升了约40%。这一重大进展解决了DRAM技术微缩长期面临的物理限制问题。高NA EUV通过更高的光刻精度，实现了更精细的电路图案，使得每块晶圆可以制造更多的芯片，同时降低了功耗。SK海力士的首席技术官车茶勇指出：“高NA EUV是突破10nm以下工艺的关键，将助力我们实现存储技术的持续创新。”
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