近日，铠侠（Kioxia）宣布了一项重大计划：该公司预计在2026年实现下一代BiCS10 332层NAND闪存的量产。这一进展不仅彰显了铠侠在3D NAND技术领域的不懈追求与领先地位，也意味着未来的存储设备将在容量、性能以及能效上取得显著进步，从而为人工智能、云计算、智能终端等高带宽应用提供更为强大的支持。
BiCS（Bit Cost Scalable）是铠侠自主研发的3D NAND闪存架构，自从问世以来经历了多次技术演进。从最初的24层和64层，到如今的112层（BiCS5）和162层（BiCS6），铠侠不断通过增加堆叠层数和优化单元结构，提高单位面积的存储密度。预计到2026年，铠侠将推出BiCS10 332层NAND，这将成为该系列有史以来最先进的产品，实现近乎翻倍的层数飞跃，充分彰显了铠侠在半导体制造工艺方面的深厚积累和前瞻性布局。
据透露，BiCS10将采用更先进的制造工艺与材料技术，进一步缩小单元间距、提升单元可靠性，并优化读写速度与功耗表现。更高的堆叠层数意味着单颗芯片可容纳更多数据，有望推动SSD、嵌入式存储（eMMC/UFS）等产品向TB级容量普及迈进。例如，在消费级市场，搭载BiCS10的NVMe SSD或将实现8TB甚至更高容量的M.2固态硬盘；在企业级数据中心，更高密度的NAND将显著降低单位存储成本，提升服务器存储效率。
此次量产计划也凸显了铠侠与合作伙伴——西部数据（WD）在技术协同上的深度整合。双方共建的日本四日市与北上工厂正加速推进产线升级，为BiCS10的大规模生产做准备。尽管面临全球半导体供应链波动与技术瓶颈挑战，铠侠仍坚持既定节奏，显示出其对市场需求和技术路线的坚定信心。
值得注意的是，332层并非终点。铠侠已在研发更高堆叠层数的技术路径，并探索新型存储架构如PLC（五层单元）与存算一体方案，以应对未来AI大模型训练、边缘计算等场景对高速、高密存储的极致需求。
对终端用户而言，BiCS10的落地将带来更快速的系统响应、更长的设备续航以及更可靠的性能表现。从智能手机到笔记本电脑，从数据中心到智能汽车，新一代NAND闪存将成为数字基础设施升级的重要基石。
