中芯国际（SMIC）宣布，在未使用EUV（极紫外）光刻设备的情况下，成功实现了5纳米级“N+3”工艺的批量生产。更为振奋的是，华为最新旗舰手机所搭载的麒麟9030芯片，已确认采用这一工艺制造，这标志着中国自主芯片制造迈向了全新的阶段，并打破了外界对高端制程“非EUV不可”的技术迷信。
长期以来，5纳米及以下的先进制程被认为是半导体制造的“皇冠”，而这一技术的核心依赖于ASML的EUV光刻机。由于国际出口管制，中芯国际无法获得EUV设备，因此外界普遍认为其难以跨越7纳米的技术门槛。然而，中芯国际凭借深厚的技术积累和创新的方法，通过采用多重曝光（SAQP）等先进的DUV（深紫外）光刻技术组合，在现有的设备条件下成功实现了等效5纳米级工艺的稳定量产，充分展示了其强大的工程技术能力和战略韧性。
“N+3”工艺：中芯国际的技术突围
“N+3”是中芯国际对其5纳米级技术节点的命名，属于N+2（7纳米）工艺的升级版。该工艺在晶体管密度、功耗控制与性能表现上实现显著提升，虽在极致性能上略逊于国际顶尖水平，但已完全满足高端智能手机、AI处理器与通信基带等主流应用场景需求。更重要的是，该工艺具备更高的良率稳定性与成本可控性，为国产芯片的大规模商用铺平道路。
麒麟9030落地，验证国产链成熟度
最直接的成果体现，便是华为Mate 70系列搭载的麒麟9030芯片。这款芯片采用中芯国际N+3工艺制造，集成先进CPU架构与自研GPU，在性能、能效与AI算力上表现优异，实际体验接近国际主流旗舰水平。其成功量产不仅意味着华为“去美化”供应链取得决定性进展，也证明了中芯国际在极端限制下仍具备高端芯片制造能力。
产业链协同，构建自主生态
此次突破背后，是整条国产半导体链的协同作战。从EDA工具、材料、设备到封装测试，国内企业加速替代。例如，华大九天提供关键设计软件支持，北方华创、中微公司供应刻蚀与薄膜设备，沪硅产业提供高端硅片，形成“去EUV化”制造闭环。尽管部分环节仍需优化，但整体生态已具备持续迭代能力。
