2026年3月25日，半导体行业盛会SEMICON China 2026在上海盛大开幕。在这场云集全球顶尖科技力量的盛会上，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”）正式推出了四款针对硅基及化合物半导体关键工艺的全新产品。这不仅彰显了中微公司在刻蚀设备、薄膜沉积设备及核心智能零部件领域的最新技术进展，也象征着中国半导体设备企业在高端平台化发展道路上迈出了坚实的步伐。
此次推出的四款新产品包括新一代电感耦合ICP等离子体刻蚀设备Primo Angnova™、高选择性刻蚀机Primo Domingo™、Smart RF Match智能射频匹配器以及适用于蓝绿光Micro LED量产的MOCVD设备Preciomo Udx®。这些新设备的发布，精准解决了当前半导体制造中的一些棘手工艺难题，涵盖了先进逻辑芯片的微型化、三维存储架构的堆叠以及下一代显示技术的量产，显示出中微公司在构建自主可控装备生态方面的全面技术实力。
在先进制程领域，随着逻辑芯片向5纳米及以下节点迈进，刻蚀工艺面临着极高的深宽比挑战。为此，中微公司推出了Primo Angnova™。这款新一代ICP刻蚀设备集成了第二代LCC射频线圈和直流磁场辅助线圈，配合超低频射频等离子体源，能够产生极高的离子能量。它专为应对高深宽比刻蚀而生，为5纳米及以下逻辑芯片以及同等难度的先进存储芯片制造提供了技术领先的工艺解决方案，助力客户在提升产能的同时有效降低成本。
针对芯片架构三维化的趋势，中微公司发布了Primo Domingo™高选择性刻蚀设备。在GAA（环绕栅极）、3D NAND和3D DRAM等器件制造中，高选择性刻蚀是决定良率的关键。Primo Domingo™采用全对称腔体结构与优化流场设计，配合独特的集成气柜和双制冷/双加热晶圆基座，确保了刻蚀的高度均匀性与稳定性。这款设备的问世，填补了国内在下一代3D半导体器件制造中关键刻蚀工艺的自主化空白，攻克了高选择比刻蚀的难题。
除了核心的刻蚀设备，中微公司在核心零部件与化合物半导体设备上也取得了显著进展。Smart RF Match智能射频匹配器首次在半导体设备领域引进了射频回路专网概念，通过EtherCAT实现实时控制。在客户端测试中，该匹配器将射频信号匹配速度提升了225%，整体刻蚀效率提高15%，实现了从“被动响应”到“主动预测”的跨越。而在显示领域，专为Micro LED量产设计的Preciomo Udx® MOCVD设备，采用新型水平式双旋转反应室结构，显著提升了波长均匀性，为蓝绿光Micro LED的大规模量产提供了关键支撑。
