在半导体制造这座精密的“摩天大楼”中，随着芯片制程不断向纳米级微缩，传统的互连材料（如钨、铜）逐渐显得“水土不服”，面临着电阻率急剧升高、发热失效等严峻挑战。近期，湖北九峰山实验室传来喜讯，其化合物半导体中试平台与国产设备厂商紧密合作，在国内首次基于8英寸平台实现了原子层沉积（ALD）金属钼工艺的突破，为国产先进制程芯片的制造注入了强劲动力。
金属钼因其低电阻和高稳定性的天然优势，成为替代传统材料的理想之选。然而，高性能金属钼薄膜的制备工艺要求极高，控制难度很大。九峰山实验室的工程师团队不畏艰难，借助国产原子层沉积设备，在400℃的低温条件下，成功稳定地制备出了高性能的金属钼薄膜。
这一突破的核心亮点在于从源头到设备的全方位自主可控。在工艺路径上，团队摒弃了会带来可靠性隐患的传统含氟前驱体，创新性地选用了不含氟的MoCl₂O₂作为前驱体，并利用高活性的氢气等离子体替代传统高温工艺。这不仅从源头上杜绝了氟残留风险，还省去了制备中间过渡层的繁琐步骤，大幅缩短了工序并降低了成本。
更令人振奋的是，这项工艺与国产设备实现了深度适配。团队针对国产设备的反应腔结构、气体传输系统等核心特性，精准优化了工艺参数，形成了“国产设备赋能工艺、工艺反哺设备”的良性循环。经系统测试，该工艺制备的金属钼薄膜在电阻率（控制在9 μΩ·cm以内）、均匀性（片内均匀性达2%）、台阶覆盖率等五大核心指标上均表现卓越，完全达到了量产要求。
这项“根技术”的突破，对我国半导体产业具有深远的战略意义。在3D NAND制造中，其优异的台阶覆盖率可完美适配垂直沟道结构，助力提升存储容量与读写速度；在7纳米及以下的逻辑芯片中，超低电阻率能直接降低RC延迟，显著提升运算速度并降低功耗；在DRAM制造中，高均匀性和致密结构则能有效提升器件的稳定性与寿命。九峰山实验室的这次成功，不仅填补了国内在该领域的空白，更用事实证明：通过产业链上下游的深度协同与联合攻关，国产设备与自主工艺完全可以交出世界高水平的答卷。
