在 2025 年北美技术论坛上，台积电正式公布了全新的 1.4nm 级工艺 ——A14。该工艺预计在 2028 年上半年投入量产，无论是命名还是技术层面，均直接对标英特尔同样号称 1.4nm 级的 14A 工艺。台积电方面强调，A14 属于全新升级的工艺节点，并非过渡型。与即将于 2025 年晚些时候量产的 N2（2nm 级）工艺相比，A14 在同等功耗下，性能可提升 10%-15%；在同等性能下，功耗能够降低 25%-30%，逻辑晶体管密度最多可提升约 23%，芯片密度最多可提升约 20%。

在技术创新方面，台积电 A14 采用了第二代 GAAFET 全环绕纳米片晶体管，并引入新的标准单元架构 NanoFlex Pro。借助 NanoFlex Pro，在芯片设计过程中，能够针对特定应用或负载，对晶体管配置进行精细调节，从而实现更优的性能、功耗和面积（PPA）平衡。与此同时，A14 还配备了全新的 IP、优化措施以及 EDA 设计软件。不过，这些与 N2P（2nm）、A16（1.6nm）工艺并不兼容。

英特尔代工早在去年 2 月便宣布了 14A 工艺，该工艺业界首次采用全新的 High NA EUV 光刻机，计划于 2026 年左右推出。相较之下，台积电 A14 虽量产时间稍晚，但技术特点鲜明。并且，台积电承诺在 2029 年推出 A14 工艺的升级版，届时将加入背部供电技术，进一步提升性能 。