7 月 2 日，据 IT 之家消息，韩媒 ETNews 当地时间 7 月 1 日报道称，三星计划明年 3 月启动其下一代 3D NAND 闪存 —— 第十代 V-NAND 的首条量产线建设，有望在当年 10 月进入全面量产阶段。
据悉，该产线建设计划为 2026 年 3 月开始设备安装，上半年建成产线，此后进行试生产，待稳定后转入正式量产，这一时间表晚于此前部分人士的预期。三星电子目前最先进的 NAND 工艺为 286 层的 V9，而下代 V10 的堆叠层数将暴涨到 400 层以上（据悉为 430 层左右），届时有望成为最高堆叠闪存，其还引入了超低温蚀刻、混合键合等先进技术。
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