中国科学家首创“蒸笼法”：硒化铟晶体管材料性能超硅基，开启芯片新纪元

2025-08-04

2025年7月，中国科学家团队以“蒸笼法”突破高性能晶体管材料制备难题，引发全球半导体领域震动。北京大学刘开辉教授团队联合电子学院，通过独创的“固-液-固”相变技术，成功制备出高性能硒化铟（InSe）晶圆，其晶体管性能超越3纳米硅基芯片，为后摩尔时代芯片研发开辟新路径。

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