这一技术灵感源自中国传统“蒸馒头”工艺：研究团队将低质量硒化铟薄膜置于密封容器中，利用液态铟形成“金属密封圈”，在高温下精准控制硒与铟的1:1原子比，最终“蒸”出原子排列整齐的高质量晶体。该过程解决了传统方法中因原子蒸发速率差异导致的材料缺陷问题，实现晶圆级规模化生产。
实验数据显示，基于“蒸笼法”的InSe晶体管迁移率达287 cm²/V·s，能效较3纳米硅基芯片提升10倍，亚阈值摆幅接近理论极限。其优异性能有望应用于人工智能、自动驾驶、智能终端等前沿领域，破解硅基芯片的物理极限瓶颈。
中国科学家首创“蒸笼法”：硒化铟晶体管材料性能超硅基，开启芯片新纪元
2025-08-04最新文章
- 海盗船SHUGO DDR5限量首发：日系艺术定制与微孔透光工艺，售价约4079元
-
数码
阅读14923
- Rambus发布第二代CKD芯片：DDR5内存原生速率突破9600MT/s
-
数码
阅读16602
- 惠普EliteBook X G2q海外上市：骁龙X2平台加持，顶配1800P高刷OLED屏
-
数码
阅读12253
- REDMI Note 17R获进网许可：或首发骁龙4 Gen 4，6月有望亮相
-
数码
阅读15373
- be quiet! 暗岩6系列风冷上市：300W解热与静音模式兼顾，售价699元起
-
数码
阅读10044