2025年8月1日，中国半导体装备领域迎来历史性突破：杭州璞璘科技自主研发的首台PL-SR系列纳米压印光刻设备正式交付国内客户，标志着我国在高端芯片制造装备上实现从“追赶”到“并跑”的跨越。该设备攻克10nm线宽精度，性能超越国际同类产品，打破日本、欧美的技术垄断。
纳米压印技术（NIL）以低成本、高分辨率优势被视为下一代光刻的替代方案。PL-SR设备创新三大核心技术：非真空贴膜技术无需昂贵真空环境，智能喷胶系统实现纳米级胶量控制，模板防翘曲技术确保石英模板与晶圆完美贴合。其残余层厚度波动控制在2nm以内，深宽比达7:1，每小时可处理110片晶圆，综合性能超越日本佳能FPA-1200NZ2C。
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