设备已在长江存储完成验证，助力3D NAND堆叠层数突破667层，单瓦存储密度达1.2Tb，制造成本降低25%。此外，该技术还赋能华为硅光芯片、京东方AR微显等前沿领域，推动Chiplet封装密度提升40%，为28nm以下先进制程提供非EUV替代路径。
中国首台10nm纳米压印光刻设备交付，国产半导体技术突破全球封锁
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