在半导体材料领域，碳化硅（SiC）因其耐高温、高压和高频特性，被视为新能源汽车、光伏储能等前沿产业的核心基石。碳化硅晶圆是制造这些应用所需芯片的关键材料，但其生产成本一直是制约其广泛应用的主要因素之一。近日，国内科研团队在12英寸碳化硅晶圆激光剥离技术方面取得重大突破，成功将生产成本降低30%以上。这一成果不仅打破了技术瓶颈，还意味着更多企业能够负担得起这种先进材料，从而推动碳化硅材料即将开启大规模商业化应用的新纪元。
在当前科技飞速发展的背景下，碳化硅晶圆的应用越来越广泛，特别是在新能源汽车和可再生能源领域。传统的碳化硅晶圆制备采用机械剥离或化学腐蚀工艺，存在效率低、缺陷率高、污染严重等问题，尤其在大尺寸晶圆加工中，成本居高不下成为产业痛点。此次突破的激光剥离技术，通过精准控制高能激光脉冲，实现了碳化硅材料与衬底的无损分离。其核心优势在于：一是剥离精度达到纳米级，晶圆表面粗糙度降低至0.1微米以下，大幅提升材料品质；二是工艺全程无需化学试剂，绿色无污染；三是兼容12英寸大尺寸晶圆，单产效率提升4倍以上。技术团队负责人表示：“这一工艺相当于为碳化硅产业安装了‘加速器’，让高性能材料不再‘贵不可攀’。”
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