2025年10月，复旦大学团队在《自然》（Nature）杂志上发表成果，宣布研发出全球首款二维硅基混合闪存芯片，名为“长缨（CY-01）”。该芯片不仅良品率达到94.3%，还具备微秒级以下的读写速度和低功耗特性，标志着二维电子器件即将大规模量产。
这款芯片的核心突破在于其独特的“混合架构”设计。团队没有选择“替代硅”的激进路径，而是创新性地将原子级厚度的二维材料作为高速存储核心，与成熟的硅基CMOS控制电路进行系统级集成。二维材料具有极高的电子迁移率和超薄的厚度，赋予了芯片卓越的性能。这种“先分开制造、再精准缝合”的模块化工艺，解决了二维材料在高低不平的CMOS表面易破裂的行业难题，实现了“破晓”超快器件与传统工艺的无缝融合。结果是：存储速度提升上千倍，单比特编程能耗仅0.644皮焦耳（pJ），在54.8℃下数据可稳定保持十年以上，并能承受上万次擦写循环。这项技术突破为下一代高速、低能耗存储芯片的发展铺平了道路。
页码:下一页
